2SK3018T106
制造厂商:ROHM(中文名:罗姆)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
技术参数:MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
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参数详情:
制造商产品型号:2SK3018T106制造商:Rohm Semiconductor(罗姆半导体)描述:MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:不適用於新設計FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):100mA(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 欧姆 @ 10mA,4V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-Vgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13pF @ 5VFET功能:-功率耗散(最大值):200mW(Ta)工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:UMT32SK3018T106的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。