BS2103F-E2
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
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参数详情：
制造商产品型号：BS2103F-E2制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：卷带（TR）,剪切带（CT）系列：-零件状态：有源驱动配置：半桥通道类型：独立式驱动器数：2栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET电压-供电：10V ~ 18V逻辑电压?-VIL，VIH：1V，2.6V电流-峰值输出（灌入，拉出）：60mA，130mA输入类型：非反相高压侧电压-最大值（自举）：600V上升/下降时间（典型值）：200ns，100ns工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型零件封装：8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）BS2103F-E2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
