BSM180C12P2E202
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：模块
技术参数：SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
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参数详情：
制造商产品型号：BSM180C12P2E202制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：SICFET N-CH 1200V 204A MODULE系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：204A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-Vgs（最大值）：+22V，-6V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：20000pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1360W（Tc）工作温度：175°C（TJ）安装类型：底座安装器件封装：模块BSM180C12P2E202的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
