BSM180D12P2C101
制造厂商:ROHM(中文名:罗姆)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:模块
技术参数:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
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参数详情:
制造商产品型号:BSM180D12P2C101制造商:Rohm Semiconductor(罗姆半导体)描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:2 个 N 通道(半桥)FET功能:碳化硅(SiC)漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)25°C时电流-连续漏极(Id):204A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 35.2mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):23000pF @ 10V功率-最大值:1130W工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:-封装:模块BSM180D12P2C101的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。