BSM300C12P3E301
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
技术参数：SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
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参数详情：
制造商产品型号：BSM300C12P3E301制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：SICFET N-CH 1200V 300A MODULE系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：300A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 80mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-Vgs（最大值）：+22V，-4V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 10VFET功能：标准功率耗散（最大值）：1360W（Tc）工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：-器件封装：模块BSM300C12P3E301的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
