BSM400D12P3G002
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S
技术参数：1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S
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参数详情：
制造商产品型号：BSM400D12P3G002制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：碳化硅（SiC）漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）25°C时电流-连续漏极(Id)：400A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 109.2mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：17000pF @ 10V功率-最大值：1570W（Tc）工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：模块BSM400D12P3G002的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
