BSS84XHZGG2CR
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DFN1010-3W
技术参数：MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
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参数详情：
制造商产品型号：BSS84XHZGG2CR制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：230mA（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.3 欧姆 @ 230mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-Vgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：34pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：1W（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DFN1010-3WBSS84XHZGG2CR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
