HP8K22TB
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，30V NCH NCH MID POWER MOSFET
技术参数：30V NCH NCH MID POWER MOSFET
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参数详情：
制造商产品型号：HP8K22TB制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：30V NCH NCH MID POWER MOSFET系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：-漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：27A，57A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.6 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16.8nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1080pF @ 15V功率-最大值：25W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFNHP8K22TB的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
