HP8M31TB1
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
技术参数：HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
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参数详情：
制造商产品型号：HP8M31TB1制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道FET功能：标准漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：8.5A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：65mOhm @ 8.5A，10V，70mOhm @ 8.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.3nC，38nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：470pF，2300pF @ 30V功率-最大值：3W（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFNHP8M31TB1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
