HP8S36TB
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：表面贴装型
技术参数：30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET
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参数详情：
制造商产品型号：HP8S36TB制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：卷带（TR）,剪切带（CT）零件状态：-FET类型：有源FET功能：2 个 N 通道（半桥）漏源电压（Vdss）：-25°C时电流-连续漏极(Id)：30V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：27A，80A不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4 毫欧 @ 32A，10V不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：47nC @ 4.5V功率-最大值：6100pF @ 15V工作温度：29W安装类型：-55°C ~ 150°C（TJ）封装：表面贴装型HP8S36TB的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
