QS8J12TCR
制造厂商:ROHM(中文名:罗姆)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SMD,扁平引线
技术参数:MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
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参数详情:
制造商产品型号:QS8J12TCR制造商:Rohm Semiconductor(罗姆半导体)描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:不適用於新設計FET类型:2 个 P 沟道(双)FET功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动漏源电压(Vdss):12V25°C时电流-连续漏极(Id):4.5A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):29 毫欧 @ 4.5A,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):40nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4200pF @ 6V功率-最大值:550mW工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SMD,扁平引线QS8J12TCR的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。