QS8M13TCR
制造厂商:ROHM(中文名:罗姆)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
技术参数:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
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参数详情:
制造商产品型号:QS8M13TCR制造商:Rohm Semiconductor(罗姆半导体)描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:不適用於新設計FET类型:N 和 P 沟道FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):6A,5A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 6A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.5nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):390pF @ 10V功率-最大值:1.5W工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SMD,扁平引线QS8M13TCR的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。