QS8M31TR
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+
技术参数：QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+
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参数详情：
制造商产品型号：QS8M31TR制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道FET功能：标准漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta），2A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：112mOhm @ 3A，10V，210mOhm @ 2A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA，3V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4nC，7.2nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：270pF，750pF @ 10V功率-最大值：1.1W（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SMD，扁平引线QS8M31TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
