R6002ENDTL
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
技术参数：MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
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参数详情：
制造商产品型号：R6002ENDTL制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.7A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.4 欧姆 @ 500mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：65pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：20W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：CPT3R6002ENDTL的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
