R6535ENZC17
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-3
技术参数：MOSFET N-CH 650V 35A TO3
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参数详情：
制造商产品型号：R6535ENZC17制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET N-CH 650V 35A TO3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：115 毫欧 @ 18.1A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.21mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：110nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2.6nF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：102W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-3R6535ENZC17的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
