RD3L01BATTL1
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-252
技术参数：PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
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参数详情：
制造商产品型号：RD3L01BATTL1制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：84 毫欧 @ 10A, 10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.2nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1200pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：26W（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252RD3L01BATTL1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
