RF4E070BNTR
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：HUML2020L8
技术参数：MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
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参数详情：
制造商产品型号：RF4E070BNTR制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：不適用於新設計FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28.6 毫欧 @ 7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.9nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：410pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：HUML2020L8RF4E070BNTR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
