RGS60TS65HRC11
制造厂商:ROHM(中文名:罗姆)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
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参数详情:
制造商产品型号:RGS60TS65HRC11制造商:Rohm Semiconductor(罗姆半导体)描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):56A电流-集电极脉冲(Icm):90A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A功率-最大值:223W开关能量:660μJ(开),810μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:36nC25°C时Td(开/关)值:28ns/104ns测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3RGS60TS65HRC11的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。