RGT30TM65DGC9
制造厂商:ROHM(中文名:罗姆)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3 整包
技术参数:FIELD STOP TRENCH IGBT
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参数详情:
制造商产品型号:RGT30TM65DGC9制造商:Rohm Semiconductor(罗姆半导体)描述:FIELD STOP TRENCH IGBT系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):14A电流-集电极脉冲(Icm):45A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A功率-最大值:32W开关能量:-输入类型:标准栅极电荷:32nC25°C时Td(开/关)值:18ns/64ns测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):55ns工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-220-3 整包RGT30TM65DGC9的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。