RGT8BM65DTL
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，IGBT 650V 8A 62W TO-252
技术参数：IGBT 650V 8A 62W TO-252
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参数详情：
制造商产品型号：RGT8BM65DTL制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：IGBT 650V 8A 62W TO-252系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：8A电流-集电极脉冲(Icm)：12A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A功率-最大值：62W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：13.5nC25°C时Td（开/关）值：17ns/69ns测试条件：400V，4A，50欧姆，15V反向恢复时间(trr)：40ns工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63RGT8BM65DTL的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
