RGTH60TS65DGC11
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 650V 58A 194W TO-247N
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参数详情：
制造商产品型号：RGTH60TS65DGC11制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：IGBT 650V 58A 194W TO-247N系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：58A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A功率-最大值：194W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：58nC25°C时Td（开/关）值：27ns/105ns测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：58ns工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3RGTH60TS65DGC11的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
