RGTV00TS65DGC11
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
技术参数：650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
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参数详情：
制造商产品型号：RGTV00TS65DGC11制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：95A电流-集电极脉冲(Icm)：200A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，50A功率-最大值：276W开关能量：1.17mJ（开），940μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：104nC25°C时Td（开/关）值：41ns/142ns测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：102ns工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3RGTV00TS65DGC11的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
