RQ3E110AJTB
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
技术参数：MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
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参数详情：
制造商产品型号：RQ3E110AJTB制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta），24A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.7mOhm @ 11A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.5nC @ 4.5VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-HSMT（3.2x3）RQ3E110AJTB的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
