RQ3L050GNTB
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-HSMT（3.2x3）
技术参数：MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
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参数详情：
制造商产品型号：RQ3L050GNTB制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：61 毫欧 @ 5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 25μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.8nC @ 4.5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：300pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：14.8W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-HSMT（3.2x3）RQ3L050GNTB的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
