RS1P600BETB1
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
技术参数：MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
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参数详情：
制造商产品型号：RS1P600BETB1制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：17，5A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9，7 毫欧 @ 17，5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：3W（Ta），35W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-HSOPRS1P600BETB1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
