RT1A060APTR
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
技术参数：MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
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参数详情：
制造商产品型号：RT1A060APTR制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：不適用於新設計FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 6A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：80nC @ 4.5VVgs（最大值）：-8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7800pF @ 6VFET功能：-功率耗散（最大值）：600mW（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-TSSTRT1A060APTR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
