SCT2750NYTB
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
技术参数：SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
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参数详情：
制造商产品型号：SCT2750NYTB制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1700V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.9A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：975 毫欧 @ 1.7A，18V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 630μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 18VVgs（最大值）：+22V，-6V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：275pF @ 800VFET功能：-功率耗散（最大值）：57W（Tc）工作温度：175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-268SCT2750NYTB的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
