SH8MA3TB1
制造厂商:ROHM(中文名:罗姆)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
技术参数:SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
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参数详情:
制造商产品型号:SH8MA3TB1制造商:Rohm Semiconductor(罗姆半导体)描述:SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 和 P 沟道FET功能:标准漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):7A(Ta),6A(Ta)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):28mOhm @ 7A,10V,50mOhm @ 6A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):7.2nC,10nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):300pF,480pF @ 15V功率-最大值:2W(Ta)工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)SH8MA3TB1的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。