SP8M3FU6TB1
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
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参数详情：
制造商产品型号：SP8M3FU6TB1制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta），4.5A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：230pF @ 10V，850pF @ 10V功率-最大值：2W（Ta）工作温度：150°C安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）SP8M3FU6TB1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
