SP8M4FU6TB
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
技术参数：MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
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参数详情：
制造商产品型号：SP8M4FU6TB制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A，7A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 9A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1190pF @ 10V功率-最大值：2W工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）SP8M4FU6TB的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
