US6M11TR
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
技术参数：MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
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参数详情：
制造商产品型号：US6M11TR制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V，12V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.5A，1.3A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.8nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：110pF @ 10V功率-最大值：1W工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-SMD，扁平引线US6M11TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
