US6M2TR
制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
技术参数：MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
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参数详情：
制造商产品型号：US6M2TR制造商：Rohm Semiconductor（罗姆半导体）描述：MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V，20V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.5A，1A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：240 毫欧 @ 1.5A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.2nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：80pF @ 10V功率-最大值：1W工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-SMD，扁平引线US6M2TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
